EPC Epower этапындагы IC үй-бүлөсү жогорку тыгыздыктагы эсептөө үчүн ишке киргизилген

EPC2152 бул жеке чип драйвери жана eGaN түйүлдүктүн жарым көпүрө кубаттуулугу этап болуп, жеке менчик GaN технологиясын колдонот.

Кирүүчү логикалык интерфейс, деңгээл өзгөрүлүшү, жүктөөчү жүктөө кубаттуулугу жана жарым дарбазачы катары орнотулган eGaN чыгыш FETтери менен монолиттик чиптин ичинде интеграцияланган. Натыйжада 3,9 × 2.6 × 0.63 мм өлчөмдөгү LGA форм-фактордук шайман чыгарылат.

48 МВтдан 12 ВЧ конвертеринде 1МГц которулуу жыштыгында иштегенде, EPC2152 Epower Stage эң жогорку натыйжалуулукка 96% жетет.

EPC2152 бул чип масштабдуу пакетте жана көп чиптүү төрт тегиз модулда жеткиликтүү интеграцияланган кубаттуулук этаптарынын үй-бүлөсүндөгү биринчи сунуш. Компания үй-бүлөнү 3-5 МГц диапазонго чейинки жыштыктарда иштей турган өнүмдөр менен, ошондой эле кубаттуулугунда 15-30Адан турган токтор менен толтурууну көздөп жаткандыгын билдирди.

EPC90120 иштеп чыгуу тактасы - бул 80V максималдуу чыңалуу, 12.5A максималдуу чыгым тогу, EPC2152 интегралдык Epower баскычын камтыган жарым көпүрө. Бул 50,8 × 50.8 мм такта коммутатордун иштеши үчүн иштелип чыккан жана EPC2152 Epower этапын баалоо үчүн керектүү компоненттерди камтыйт.

Түзмөктөр Digi-Key дароо жеткирүү үчүн жеткиликтүү

“Дискреттик кубаттуулук транзисторлору акыркы бөлүмгө киришти. Интеграцияланган GaN-on-Silicon кичинекей аймакта жогорку өнүмдүүлүктү сунуш кылат, ал эми инженердик иш-аракеттер бир кыйла азайтылат "деди Алекс Лидов, EPC компаниясынын башкы директору жана негиздөөчүсү.

"Бул интегралдык кубаттуулук этаптарынын жаңы үй-бүлөсү GaN кубаттуулугун конверсиялоо эволюциясындагы кезектеги маанилүү баскыч болуп саналат, дискреттик шаймандарды интеграциялоодон баштап, кремний эритмелеринин мүмкүнчүлүктөрүнөн тышкары, электр өткөргүчтүн иштешин сунуш кылган татаал чечимдерге чейин. инженер "